IXFH110N15T2 IXYS МОП-транзистор 110 Amps 150V
Виробник: IXYS
Код товару: IXFH110N15T2
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFH110N15T2
Id - непрерывный ток утечки
150 A
Pd - рассеивание мощности
480 W
Qg - заряд затвора
150 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
13 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
150 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
4.5 V
Вес изделия
6,500 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
16 ns
Время спада
18 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
115 S
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Продукт
MOSFET Power
Серия
IXFH110N15T2
Технология
Si
Тип
Power MOSFET
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
33 ns
Типичное время задержки при включении
33 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
MOSFET 110 Amps 150V
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...