IXFH11N80 IXYS МОП-транзистор 11 Amps 800V
Виробник: IXYS
Код товару: IXFH11N80
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFH11N80
Id - непрерывный ток утечки
11 A
Pd - рассеивание мощности
300 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
950 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
800 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вес изделия
6,500 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
33 ns
Время спада
32 ns
Высота
21.46 mm
Длина
16.26 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
HyperFET
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFH11N80
Технология
Si
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
63 ns
Типичное время задержки при включении
20 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Ширина
5.3 mm
MOSFET 11 Amps 800V
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...