IXFH120N25T IXYS МОП-транзистор Trench HiperFETs Power МОП-транзисторs
Виробник: IXYS
Код товару: IXFH120N25T
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFH120N25T
Id - непрерывный ток утечки
120 A
Pd - рассеивание мощности
890 W
Qg - заряд затвора
180 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
23 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
250 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
5 V
Вес изделия
1,600 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
16 ns
Время спада
19 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
HiPerFET
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFH120N25T
Технология
Si
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
46 ns
Типичное время задержки при включении
32 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFETs
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...