IXFH12N120P IXYS МОП-транзистор 12 Amps 1200V 1.15 Rds
Виробник: IXYS
Код товару: IXFH12N120P
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFH12N120P
Id - непрерывный ток утечки
12 A
Pd - рассеивание мощности
543 W
Qg - заряд затвора
103 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.35 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1200 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
6.5 V
Вес изделия
6,500 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
25 ns
Время спада
34 ns
Высота
21.46 mm
Длина
16.26 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
Polar, HiPerFET
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
5 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFH12N120
Технология
Si
Тип
Polar Power MOSFET HiPerFET
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
62 ns
Типичное время задержки при включении
34 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Ширина
5.3 mm
MOSFET 12 Amps 1200V 1.15 Rds
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...