IXFH12N80P IXYS МОП-транзистор DIODE Id12 BVdass800
Виробник: IXYS
Код товару: IXFH12N80P
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFH12N80P
Id - непрерывный ток утечки
12 A
Pd - рассеивание мощности
360 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
850 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
800 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Вес изделия
6,500 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
26 ns
Время спада
25 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
HyperFET
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
18 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFH12N80
Технология
Si
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
70 ns
Типичное время задержки при включении
23 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
MOSFET DIODE Id12 BVdass800
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...