IXFH12N90 IXYS МОП-транзистор 900V 12A
Виробник: IXYS
Код товару: IXFH12N90
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFH12N90
Id - непрерывный ток утечки
12 A
Pd - рассеивание мощности
300 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.1 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
900 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вес изделия
6,500 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
12 ns
Время спада
18 ns
Высота
21.46 mm
Длина
16.26 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
HyperFET
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
12 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFH12N90
Технология
Si
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
51 ns
Типичное время задержки при включении
18 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Ширина
5.3 mm
MOSFET 900V 12A
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...