IXFH13N100 IXYS МОП-транзистор 13 Amps 1000V 0.9 Rds
Виробник: IXYS
Код товару: IXFH13N100
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFH13N100
Id - непрерывный ток утечки
12.5 A
Pd - рассеивание мощности
300 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
900 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1000 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вес изделия
6,500 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
33 ns
Время спада
32 ns
Высота
21.46 mm
Длина
16.26 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
HyperFET
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFH13N100
Технология
Si
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
62 ns
Типичное время задержки при включении
21 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Ширина
5.3 mm
MOSFET 13 Amps 1000V 0.9 Rds
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...