IXFH14N80P IXYS МОП-транзистор DIODE Id14 BVdass800
Виробник: IXYS
Код товару: IXFH14N80P
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFH14N80P
Id - непрерывный ток утечки
14 A
Pd - рассеивание мощности
400 W
Qg - заряд затвора
61 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
720 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
800 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
5.5 V
Вес изделия
6,500 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
29 ns
Время спада
27 ns
Высота
21.46 mm
Длина
16.26 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
PolarHV, HiPerFET
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
8 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFH14N80
Технология
Si
Тип
PolarHV HiPerFET Power MOSFET
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
62 ns
Типичное время задержки при включении
26 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Ширина
5.3 mm
MOSFET DIODE Id14 BVdass800
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...