IXFH16N120P IXYS МОП-транзистор 16 Amps 1200V 1 Rds
Виробник: IXYS
Код товару: IXFH16N120P
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFH16N120P
Id - непрерывный ток утечки
16 A
Pd - рассеивание мощности
660 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
950 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1200 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Вес изделия
6,500 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
28 ns
Время спада
35 ns
Высота
21.46 mm
Длина
16.26 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
HyperFET
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFH16N120
Технология
Si
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
66 ns
Типичное время задержки при включении
35 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Ширина
5.3 mm
MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...