IXFH18N100Q3 IXYS МОП-транзистор Q3Class HiPerFET Pwr МОП-транзистор 1000V/18A
Виробник: IXYS
Код товару: IXFH18N100Q3
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFH18N100Q3
Id - непрерывный ток утечки
18 A
Pd - рассеивание мощности
830 W
Qg - заряд затвора
90 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
660 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1000 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Вес изделия
1,600 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
33 ns
Время спада
13 ns
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
HyperFET
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
16 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFH18N100
Технология
Si
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
40 ns
Типичное время задержки при включении
37 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...