IXFH18N90P IXYS МОП-транзистор PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Виробник: IXYS
Код товару: IXFH18N90P
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFH18N90P
Id - непрерывный ток утечки
18 A
Pd - рассеивание мощности
540 W
Qg - заряд затвора
97 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
600 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
900 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V to 6 V
Вес изделия
6,500 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
33 ns
Время спада
44 ns
Высота
21.46 mm
Длина
16.26 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
HyperFET
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
10 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFH18N90
Технология
Si
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
60 ns
Типичное время задержки при включении
40 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Ширина
5.3 mm
MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...