IXFH24N80P IXYS МОП-транзистор DIODE Id24 BVdass800
Виробник: IXYS
Код товару: IXFH24N80P
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFH24N80P
Id - непрерывный ток утечки
24 A
Pd - рассеивание мощности
650 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
400 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
800 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Вес изделия
6,500 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
27 ns
Время спада
24 ns
Высота
21.46 mm
Длина
16.26 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
HyperFET
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
25 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFH24N80
Технология
Si
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
75 ns
Типичное время задержки при включении
32 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Ширина
5.3 mm
MOSFET DIODE Id24 BVdass800
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...