IXFH26N50 IXYS МОП-транзистор DIODE Id26 BVdass500
Виробник: IXYS
Код товару: IXFH26N50
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFH26N50
Id - непрерывный ток утечки
26 A
Pd - рассеивание мощности
300 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
200 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
500 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вес изделия
6,500 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
33 ns
Время спада
30 ns
Высота
21.46 mm
Длина
16.26 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
HyperFET
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
21 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFH26N50
Технология
Si
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
65 ns
Типичное время задержки при включении
16 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Ширина
5.3 mm
MOSFET DIODE Id26 BVdass500
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...