IXFH26N50P IXYS МОП-транзистор HiPERFET Id26 BVdass500
Виробник: IXYS
Код товару: IXFH26N50P
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFH26N50P
Id - непрерывный ток утечки
26 A
Pd - рассеивание мощности
400 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
230 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
500 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Вес изделия
6,500 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
25 ns
Время спада
20 ns
Высота
21.46 mm
Длина
16.26 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
HyperFET
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
26 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFH26N50
Технология
Si
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
58 ns
Типичное время задержки при включении
20 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Ширина
5.3 mm
MOSFET HiPERFET Id26 BVdass500
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...