IXFH26N50P3 IXYS МОП-транзистор Polar3 HiPerFET Power МОП-транзистор
Виробник: IXYS
Код товару: IXFH26N50P3
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFH26N50P3
Id - непрерывный ток утечки
26 A
Pd - рассеивание мощности
500 W
Qg - заряд затвора
42 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
240 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
500 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
5 V
Вес изделия
1,600 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
7 ns
Время спада
5 ns
Высота
21.46 mm
Длина
16.26 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
Polar3, HiPerFET
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
14 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFH26N50
Технология
Si
Тип
Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
38 ns
Типичное время задержки при включении
21 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Ширина
5.3 mm
MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...