IXFH36N55Q2 IXYS МОП-транзистор 36 Amps 550V 0.16 Rds
Виробник: IXYS
Код товару: IXFH36N55Q2
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFH36N55Q2
Id - непрерывный ток утечки
36 A
Pd - рассеивание мощности
560 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
180 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
550 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Вес изделия
6,500 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
13 ns
Время спада
8 ns
Высота
21.46 mm
Длина
16.26 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
HyperFET
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFH36N55
Технология
Si
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
42 ns
Типичное время задержки при включении
17 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Ширина
5.3 mm
MOSFET 36 Amps 550V 0.16 Rds
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...