IXFH50N20 IXYS МОП-транзистор DIODE Id50 BVdass200
Виробник: IXYS
Код товару: IXFH50N20
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFH50N20
Id - непрерывный ток утечки
50 A
Pd - рассеивание мощности
300 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
45 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
200 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вес изделия
6,500 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
15 ns
Время спада
16 ns
Высота
21.46 mm
Длина
16.26 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
HyperFET
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
32 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFH50N20
Технология
Si
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
72 ns
Типичное время задержки при включении
18 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Ширина
5.3 mm
MOSFET DIODE Id50 BVdass200
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...