IXFH52N50P2 IXYS МОП-транзистор PolarP2 Power МОП-транзистор
Виробник: IXYS
Код товару: IXFH52N50P2
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFH52N50P2
Id - непрерывный ток утечки
52 A
Pd - рассеивание мощности
960 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
120 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
500 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Вес изделия
6,500 g
Вид монтажа
Through Hole
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
Polar2 HiPerFET
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFH52N50
Технология
Si
Тип
PolarP2 HiPerFET
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
MOSFET PolarP2 Power MOSFET
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...