IXFK120N20 IXYS МОП-транзистор 200V 120A
Виробник: IXYS
Код товару: IXFK120N20
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFK120N20
Id - непрерывный ток утечки
120 A
Pd - рассеивание мощности
560 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
17 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
200 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вес изделия
10 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
65 ns
Время спада
35 ns
Высота
26.16 mm
Длина
19.96 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
25
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
HyperFET
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
77 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFK120N20
Технология
Si
Тип корпуса
TO-264-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
110 ns
Типичное время задержки при включении
40 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Ширина
5.13 mm
MOSFET 200V 120A
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...