IXFK140N25T IXYS МОП-транзистор TRENCH HIPERFET PWR МОП-транзистор 250V 140A
Виробник: IXYS
Код товару: IXFK140N25T
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFK140N25T
Id - непрерывный ток утечки
140 A
Pd - рассеивание мощности
960 W
Qg - заряд затвора
255 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
17 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
250 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
5 V
Вес изделия
10 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
29 ns
Время спада
22 ns
Высота
26.16 mm
Длина
19.96 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
25
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
GigaMOS
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
80 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFK140N25
Технология
Si
Тип
GigaMOS Power MOSFET
Тип корпуса
TO-264-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
92 ns
Типичное время задержки при включении
33 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Ширина
5.13 mm
MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 250V 140A
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...