DN2535N3-G Microchip Technology МОП-транзистор 350V 25Ohm
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Код товару: DN2535N3-G
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: DN2535N3-G
Id - непрерывный ток утечки
120 mA
Pd - рассеивание мощности
1 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
25 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
350 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вес изделия
453,600 mg
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
15 ns
Время спада
20 ns
Высота
5.33 mm
Длина
5.21 mm
Канальный режим
Depletion
Количество в заводской упаковке
1000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип
FET
Тип корпуса
TO-92-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
15 ns
Типичное время задержки при включении
10 ns
Торговая марка
Microchip Technology
Упаковка
Bulk
Ширина
4.19 mm
MOSFET 350V 25Ohm
Про виробника
MICROCHIP TECHNOLOGY
Microchip Technology Inc. является ведущим поставщиком микроконтроллеров и аналоговых полупроводников для тысяч разнообразных разработок клиентов по всему миру. Штаб-квартира в Чандлер, штат Аризона.... Детально...