LND01K1-G Microchip Technology МОП-транзистор Lateral N-Ch МОП-транзистор Depletion-Mode
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Код товару: LND01K1-G
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: LND01K1-G
Id - непрерывный ток утечки
330 mA
Pd - рассеивание мощности
360 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.4 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
9 V
Vgs - напряжение затвор-исток
600 mV
Вес изделия
30 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
11 ns
Время спада
6.4 ns
Канальный режим
Depletion
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 125 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
LND01
Технология
Si
Тип корпуса
SOT-23-5
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
1 ns
Типичное время задержки при включении
3.8 ns
Торговая марка
Microchip Technology
Упаковка
Reel
MOSFET Lateral N-Ch MOSFET Depletion-Mode
Про виробника
MICROCHIP TECHNOLOGY
Microchip Technology Inc. является ведущим поставщиком микроконтроллеров и аналоговых полупроводников для тысяч разнообразных разработок клиентов по всему миру. Штаб-квартира в Чандлер, штат Аризона.... Детально...