LND150N3-G-P002 Microchip Technology МОП-транзистор DepletionMode МОП-транзистор
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Код товару: LND150N3-G-P002
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: LND150N3-G-P002
Id - непрерывный ток утечки
30 mA
Pd - рассеивание мощности
740 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1000 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
500 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вес изделия
453,600 mg
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
450 ns
Время спада
1300 ns
Высота
5.33 mm
Длина
5.21 mm
Канальный режим
Depletion
Количество в заводской упаковке
2000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Продукт
MOSFET Small Signal
Технология
Si
Тип корпуса
TO-92-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
100 ns
Типичное время задержки при включении
90 ns
Торговая марка
Microchip Technology
Упаковка
Reel
Ширина
4.19 mm
MOSFET DepletionMode MOSFET
Про виробника
MICROCHIP TECHNOLOGY
Microchip Technology Inc. является ведущим поставщиком микроконтроллеров и аналоговых полупроводников для тысяч разнообразных разработок клиентов по всему миру. Штаб-квартира в Чандлер, штат Аризона.... Детально...