LND150N8-G Microchip Technology МОП-транзистор 500V 1KOhm
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Код товару: LND150N8-G
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: LND150N8-G
Id - непрерывный ток утечки
30 mA
Pd - рассеивание мощности
1.2 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1 kOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
500 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вес изделия
52,800 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
450 ns
Время спада
450 ns
Высота
1.6 mm
Длина
4.6 mm
Канальный режим
Depletion
Количество в заводской упаковке
2000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Продукт
MOSFET Small Signal
Технология
Si
Тип
FET
Тип корпуса
SOT-89-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
100 ns
Типичное время задержки при включении
90 ns
Торговая марка
Microchip Technology
Упаковка
Reel
Ширина
2.6 mm
MOSFET 500V 1KOhm
Про виробника
MICROCHIP TECHNOLOGY
Microchip Technology Inc. является ведущим поставщиком микроконтроллеров и аналоговых полупроводников для тысяч разнообразных разработок клиентов по всему миру. Штаб-квартира в Чандлер, штат Аризона.... Детально...