VP2106N3-G Microchip Technology МОП-транзистор 60V 12Ohm
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Код товару: VP2106N3-G
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: VP2106N3-G
Id - непрерывный ток утечки
- 250 mA
Pd - рассеивание мощности
740 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
12 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
- 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вес изделия
453,600 mg
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
5 ns
Время спада
5 ns
Высота
5.33 mm
Длина
5.21 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
P-Channel
Продукт
MOSFET Small Signal
Технология
Si
Тип
FET
Тип корпуса
TO-92-3
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
5 ns
Типичное время задержки при включении
4 ns
Торговая марка
Microchip Technology
Упаковка
Bulk
Ширина
4.19 mm
MOSFET 60V 12Ohm
Про виробника
MICROCHIP TECHNOLOGY
Microchip Technology Inc. является ведущим поставщиком микроконтроллеров и аналоговых полупроводников для тысяч разнообразных разработок клиентов по всему миру. Штаб-квартира в Чандлер, штат Аризона.... Детально...