2N6800 Microsemi МОП-транзистор N Channel МОП-транзистор
Виробник: MICROSEMI
Код товару: 2N6800
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: 2N6800
Id - непрерывный ток утечки
3 A
Pd - рассеивание мощности
25 W
Qg - заряд затвора
34.75 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.1 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
400 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
35 ns
Время спада
35 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
100
Количество каналов
1 Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-205AF-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
55 ns
Типичное время задержки при включении
30 ns
Торговая марка
Microsemi
MOSFET N Channel MOSFET
Про виробника
MICROSEMI
Компания Microsemi производит RF продукты для WLAN усилителей мощности, PIN диоды большой мощности для медицины MRI, биполярные транзисторы для наземных и авиационных радаров, а также компоненты:
L-Band Radar,
LED Driver,
LDMOS VDMOS,
MOSFETs,
IGBTs... Детально...