APL502B2G Microsemi МОП-транзистор Power МОП-транзистор - Linear
Виробник: MICROSEMI
Код товару: APL502B2G
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: APL502B2G
Id - непрерывный ток утечки
58 A
Pd - рассеивание мощности
730 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
90 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
500 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
4 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
27 ns
Время спада
16 ns
Высота
5.31 mm
Длина
21.46 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
10
Количество каналов
1 Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
T-MAX-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
56 ns
Типичное время задержки при включении
13 ns
Торговая марка
Microsemi
Ширина
16.26 mm
MOSFET Power MOSFET - Linear
Про виробника
MICROSEMI
Компания Microsemi производит RF продукты для WLAN усилителей мощности, PIN диоды большой мощности для медицины MRI, биполярные транзисторы для наземных и авиационных радаров, а также компоненты:
L-Band Radar,
LED Driver,
LDMOS VDMOS,
MOSFETs,
IGBTs... Детально...