APT10026L2FLLG Microsemi МОП-транзистор Power FREDFET - MOS7
Виробник: MICROSEMI
Код товару: APT10026L2FLLG
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: APT10026L2FLLG
Id - непрерывный ток утечки
38 A
Pd - рассеивание мощности
893 W
Qg - заряд затвора
267 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
260 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1000 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вес изделия
10,600 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
8 ns
Время спада
9 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-264-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
39 ns
Типичное время задержки при включении
17 ns
Торговая марка
Microsemi
MOSFET Power FREDFET - MOS7
Про виробника
MICROSEMI
Компания Microsemi производит RF продукты для WLAN усилителей мощности, PIN диоды большой мощности для медицины MRI, биполярные транзисторы для наземных и авиационных радаров, а также компоненты:
L-Band Radar,
LED Driver,
LDMOS VDMOS,
MOSFETs,
IGBTs... Детально...