APT11N80BC3G Microsemi МОП-транзистор Power МОП-транзистор - CoolMOS
Виробник: MICROSEMI
Код товару: APT11N80BC3G
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: APT11N80BC3G
Id - непрерывный ток утечки
11 A
Pd - рассеивание мощности
156 W
Qg - заряд затвора
60 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
390 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
800 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вес изделия
38 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
15 ns
Время спада
7 ns
Высота
5.31 mm
Длина
21.46 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
118
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-247-3
Типичное время задержки выключения
70 ns
Типичное время задержки при включении
25 ns
Торговая марка
Microsemi
Упаковка
Reel
Ширина
16.26 mm
MOSFET Power MOSFET - CoolMOS
Про виробника
MICROSEMI
Компания Microsemi производит RF продукты для WLAN усилителей мощности, PIN диоды большой мощности для медицины MRI, биполярные транзисторы для наземных и авиационных радаров, а также компоненты:
L-Band Radar,
LED Driver,
LDMOS VDMOS,
MOSFETs,
IGBTs... Детально...