APT13F120B Microsemi МОП-транзистор Power FREDFET - MOS8
Виробник: MICROSEMI
Код товару: APT13F120B
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: APT13F120B
Id - непрерывный ток утечки
14 A
Pd - рассеивание мощности
625 W
Qg - заряд затвора
145 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
910 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1200 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
4 V
Вес изделия
38 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
15 ns
Время спада
24 ns
Высота
5.31 mm
Длина
21.46 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Коммерческое обозначение
POWER MOS 8
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
15 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-247-3
Типичное время задержки выключения
85 ns
Типичное время задержки при включении
26 ns
Торговая марка
Microsemi
Упаковка
Reel
Ширина
16.26 mm
MOSFET Power FREDFET - MOS8
Про виробника
MICROSEMI
Компания Microsemi производит RF продукты для WLAN усилителей мощности, PIN диоды большой мощности для медицины MRI, биполярные транзисторы для наземных и авиационных радаров, а также компоненты:
L-Band Radar,
LED Driver,
LDMOS VDMOS,
MOSFETs,
IGBTs... Детально...