APT14M100B Microsemi МОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS8
Виробник: MICROSEMI
Код товару: APT14M100B
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: APT14M100B
Id - непрерывный ток утечки
14 A
Pd - рассеивание мощности
500 W
Qg - заряд затвора
120 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
710 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1000 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
4 V
Вес изделия
38 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
29 ns
Время спада
26 ns
Высота
5.31 mm
Длина
21.46 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1
Коммерческое обозначение
POWER MOS 8
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
16 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-247-3
Типичное время задержки выключения
95 ns
Типичное время задержки при включении
28 ns
Торговая марка
Microsemi
Ширина
16.26 mm
MOSFET Power MOSFET - MOS8
Про виробника
MICROSEMI
Компания Microsemi производит RF продукты для WLAN усилителей мощности, PIN диоды большой мощности для медицины MRI, биполярные транзисторы для наземных и авиационных радаров, а также компоненты:
L-Band Radar,
LED Driver,
LDMOS VDMOS,
MOSFETs,
IGBTs... Детально...