APT20M38BVRG Microsemi МОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS5
Виробник: MICROSEMI
Код товару: APT20M38BVRG
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: APT20M38BVRG
Id - непрерывный ток утечки
67 A
Pd - рассеивание мощности
370 W
Qg - заряд затвора
225 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
38 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
200 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
21 ns
Время спада
10 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
40
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
48 ns
Типичное время задержки при включении
14 ns
Торговая марка
Microsemi
MOSFET Power MOSFET - MOS5
Про виробника
MICROSEMI
Компания Microsemi производит RF продукты для WLAN усилителей мощности, PIN диоды большой мощности для медицины MRI, биполярные транзисторы для наземных и авиационных радаров, а также компоненты:
L-Band Radar,
LED Driver,
LDMOS VDMOS,
MOSFETs,
IGBTs... Детально...