APT21M100J Microsemi МОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS8
Виробник: MICROSEMI
Код товару: APT21M100J
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: APT21M100J
Id - непрерывный ток утечки
21 A
Pd - рассеивание мощности
462 W
Qg - заряд затвора
260 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
380 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1000 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вес изделия
30 g
Вид монтажа
Screw Mount
Время нарастания
35 ns
Время спада
33 ns
Высота
8.9 mm
Длина
38 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
34 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Продукт
MOSFET
Технология
Si
Тип
Power MOSFET
Тип корпуса
SOT-227-4
Типичное время задержки выключения
130 ns
Типичное время задержки при включении
39 ns
Торговая марка
Microsemi
Ширина
25.2 mm
MOSFET Power MOSFET - MOS8
Про виробника
MICROSEMI
Компания Microsemi производит RF продукты для WLAN усилителей мощности, PIN диоды большой мощности для медицины MRI, биполярные транзисторы для наземных и авиационных радаров, а также компоненты:
L-Band Radar,
LED Driver,
LDMOS VDMOS,
MOSFETs,
IGBTs... Детально...