APT30GP60JDQ1 Microsemi IGBT модуль Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
Виробник: MICROSEMI
Код товару: APT30GP60JDQ1
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: APT30GP60JDQ1
Модуль біполярних транзисторів з ізольованим затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
Про виробника
MICROSEMI
Компания Microsemi производит RF продукты для WLAN усилителей мощности, PIN диоды большой мощности для медицины MRI, биполярные транзисторы для наземных и авиационных радаров, а также компоненты:
L-Band Radar,
LED Driver,
LDMOS VDMOS,
MOSFETs,
IGBTs... Детально...