APT30M19JVFR Microsemi МОП-транзистор Power FREDFET - MOS5
Виробник: MICROSEMI
Код товару: APT30M19JVFR
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: APT30M19JVFR
Id - непрерывный ток утечки
130 A
Pd - рассеивание мощности
700 W
Qg - заряд затвора
975 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
19 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
300 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вид монтажа
Screw Mount
Время нарастания
33 ns
Время спада
10 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
SOT-227-4
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
70 ns
Типичное время задержки при включении
22 ns
Торговая марка
Microsemi
MOSFET Power FREDFET - MOS5
Про виробника
MICROSEMI
Компания Microsemi производит RF продукты для WLAN усилителей мощности, PIN диоды большой мощности для медицины MRI, биполярные транзисторы для наземных и авиационных радаров, а также компоненты:
L-Band Radar,
LED Driver,
LDMOS VDMOS,
MOSFETs,
IGBTs... Детально...