APT30M60J Microsemi МОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS7
Виробник: MICROSEMI
Код товару: APT30M60J
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: APT30M60J
Id - непрерывный ток утечки
31 A
Pd - рассеивание мощности
355 W
Qg - заряд затвора
215 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
120 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вид монтажа
Screw Mount
Время нарастания
55 ns
Время спада
44 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
20
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
42 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
SOT-227-4
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
145 ns
Типичное время задержки при включении
48 ns
Торговая марка
Microsemi
MOSFET Power MOSFET - MOS7
Про виробника
MICROSEMI
Компания Microsemi производит RF продукты для WLAN усилителей мощности, PIN диоды большой мощности для медицины MRI, биполярные транзисторы для наземных и авиационных радаров, а также компоненты:
L-Band Radar,
LED Driver,
LDMOS VDMOS,
MOSFETs,
IGBTs... Детально...