APT37M100B2 Microsemi МОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS8
Виробник: MICROSEMI
Код товару: APT37M100B2
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: APT37M100B2
Id - непрерывный ток утечки
37 A
Pd - рассеивание мощности
1.135 kW
Qg - заряд затвора
305 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
330 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1000 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
4 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
40 ns
Время спада
38 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
24
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
39 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
T-MAX-3
Типичное время задержки выключения
150 ns
Типичное время задержки при включении
44 ns
Торговая марка
Microsemi
MOSFET Power MOSFET - MOS8
Про виробника
MICROSEMI
Компания Microsemi производит RF продукты для WLAN усилителей мощности, PIN диоды большой мощности для медицины MRI, биполярные транзисторы для наземных и авиационных радаров, а также компоненты:
L-Band Radar,
LED Driver,
LDMOS VDMOS,
MOSFETs,
IGBTs... Детально...