APT4M120K Microsemi МОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS8
Виробник: MICROSEMI
Код товару: APT4M120K
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: APT4M120K
Id - непрерывный ток утечки
5 A
Pd - рассеивание мощности
225 W
Qg - заряд затвора
43 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
3.12 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1200 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
4 V
Вес изделия
6 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
4.4 ns
Время спада
6.9 ns
Высота
9.19 mm
Длина
10.26 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1
Коммерческое обозначение
POWER MOS 8
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
4.5 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-220-3
Типичное время задержки выключения
24 ns
Типичное время задержки при включении
7.4 ns
Торговая марка
Microsemi
Ширина
4.72 mm
MOSFET Power MOSFET - MOS8
Про виробника
MICROSEMI
Компания Microsemi производит RF продукты для WLAN усилителей мощности, PIN диоды большой мощности для медицины MRI, биполярные транзисторы для наземных и авиационных радаров, а также компоненты:
L-Band Radar,
LED Driver,
LDMOS VDMOS,
MOSFETs,
IGBTs... Детально...