APT5016BLLG Microsemi МОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS7
Виробник: MICROSEMI
Код товару: APT5016BLLG
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: APT5016BLLG
Id - непрерывный ток утечки
30 A
Pd - рассеивание мощности
329 W
Qg - заряд затвора
72 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
0.16 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
500 V
Vgs - напряжение затвор-исток
+/- 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
10 ns
Время спада
14 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
APT5016
Технология
Si
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
27 ns
Типичное время задержки при включении
10 ns
Торговая марка
Microsemi
Упаковка
Tube
MOSFET Power MOSFET - MOS7
Про виробника
MICROSEMI
Компания Microsemi производит RF продукты для WLAN усилителей мощности, PIN диоды большой мощности для медицины MRI, биполярные транзисторы для наземных и авиационных радаров, а также компоненты:
L-Band Radar,
LED Driver,
LDMOS VDMOS,
MOSFETs,
IGBTs... Детально...