APT70SM70B Microsemi МОП-транзистор Power МОП-транзистор - SiC
Виробник: MICROSEMI
Код товару: APT70SM70B
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: APT70SM70B
Id - непрерывный ток утечки
58 A
Pd - рассеивание мощности
300 W
Qg - заряд затвора
120 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
75 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
700 V
Vgs - напряжение затвор-исток
- 10 V to + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.7 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
9 ns
Время спада
20 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
APT70SM70
Технология
SiC
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
34 ns
Типичное время задержки при включении
11 ns
Торговая марка
Microsemi
Упаковка
Bulk
MOSFET Power MOSFET - SiC
Про виробника
MICROSEMI
Компания Microsemi производит RF продукты для WLAN усилителей мощности, PIN диоды большой мощности для медицины MRI, биполярные транзисторы для наземных и авиационных радаров, а также компоненты:
L-Band Radar,
LED Driver,
LDMOS VDMOS,
MOSFETs,
IGBTs... Детально...