BSH205G2R Nexperia МОП-транзистор 20V P-channel Trench МОП-транзистор
Виробник: NEXPERIA
Код товару: BSH205G2R
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: BSH205G2R
Id - непрерывный ток утечки
- 2.3 A
Pd - рассеивание мощности
890 mW
Qg - заряд затвора
3.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
120 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
- 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток
8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
- 950 mV
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
14 ns
Время спада
16 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
4.5 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
P-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
SOT-23-3
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
43 ns
Типичное время задержки при включении
5 ns
Торговая марка
Nexperia
Упаковка
Reel
MOSFET 20V P-channel Trench MOSFET
Про виробника
NEXPERIA
Nexperia является специализированным мировым лидером в устройствах Discretes, Logic и MOSFET. Это новая компания с многолетним опытом, широким опытом и глобальной клиентской базой. Первоначально в компании Philips стали бизнес-подразделением NXP, пре... Детально...