BUK765R0-100E,118 Nexperia МОП-транзистор N-channel TrenchMOS intermed level FET
Виробник: NEXPERIA
Код товару: BUK765R0-100E,118
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: BUK765R0-100E,118
Id - непрерывный ток утечки
120 A
Pd - рассеивание мощности
357 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
4 V
Вес изделия
4 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Количество в заводской упаковке
800
Количество каналов
1 Channel
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-263-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
Nexperia
Упаковка
Reel
MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET
Про виробника
NEXPERIA
Nexperia является специализированным мировым лидером в устройствах Discretes, Logic и MOSFET. Это новая компания с многолетним опытом, широким опытом и глобальной клиентской базой. Первоначально в компании Philips стали бизнес-подразделением NXP, пре... Детально...