BUK768R1-100E,118 Nexperia МОП-транзистор TrenchMOS N-Channel
Виробник: NEXPERIA
Код товару: BUK768R1-100E,118
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: BUK768R1-100E,118
Id - непрерывный ток утечки
100 A
Pd - рассеивание мощности
263 W
Qg - заряд затвора
108 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
8.1 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вес изделия
4 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
44.1 ns
Время спада
49.6 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
800
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-263-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
72 ns
Типичное время задержки при включении
23.5 ns
Торговая марка
Nexperia
Упаковка
Reel
MOSFET TrenchMOS N-Channel
Про виробника
NEXPERIA
Nexperia является специализированным мировым лидером в устройствах Discretes, Logic и MOSFET. Это новая компания с многолетним опытом, широким опытом и глобальной клиентской базой. Первоначально в компании Philips стали бизнес-подразделением NXP, пре... Детально...