BUK7E3R1-40E,127 Nexperia МОП-транзистор N-channel TrenchMOS standard level FET
Виробник: NEXPERIA
Код товару: BUK7E3R1-40E,127
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: BUK7E3R1-40E,127
Id - непрерывный ток утечки
100 A
Pd - рассеивание мощности
234 W
Qg - заряд затвора
79 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
2.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
40 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вес изделия
2,300 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
29 ns
Время спада
32 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-262-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
54 ns
Типичное время задержки при включении
24 ns
Торговая марка
Nexperia
Упаковка
Tube
MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
Про виробника
NEXPERIA
Nexperia является специализированным мировым лидером в устройствах Discretes, Logic и MOSFET. Это новая компания с многолетним опытом, широким опытом и глобальной клиентской базой. Первоначально в компании Philips стали бизнес-подразделением NXP, пре... Детально...