BF1217WR,115 NXP Semiconductors МОП-транзистор N-CH dual gate МОП-транзистор
Виробник: NXP SEMICONDUCTORS
Код товару: BF1217WR,115
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: BF1217WR,115
Id - непрерывный ток утечки
30 mA
Vds - напряжение пробоя сток-исток
6 V
Вес изделия
6,400 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
Dual
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
SOT-343-4
Тип транзистора
2 N-Channel
Торговая марка
NXP Semiconductors
Упаковка
Reel
MOSFET N-CH dual gate MOSFET
Про виробника
NXP SEMICONDUCTORS
NXP Semiconductors — нидерландский производитель полупроводников.... Детально...