2N7002ET1G ON Semiconductor МОП-транзистор NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms
Виробник: ON SEMICONDUCTOR
Код товару: 2N7002ET1G
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: 2N7002ET1G
Id - непрерывный ток утечки
260 mA
Pd - рассеивание мощности
300 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
2.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вес изделия
1,438 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
1.2 ns
Время спада
1.2 ns
Высота
0.94 mm
Длина
2.9 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Продукт
MOSFET Small Signal
Серия
2N7002E
Технология
Si
Тип корпуса
SOT-23-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
4.8 ns
Типичное время задержки при включении
1.7 ns
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка
Reel
Ширина
1.3 mm
MOSFET NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms
Про виробника
ON SEMICONDUCTOR
ON Semiconductor - компания-поставщик полупроводников Fortune 1000. Продукты включают в себя: логические, дискретные и пользовательские устройства для автомобильной, коммуникационной, вычислительной, потребительской, промышленной, светодиодной подсве... Детально...