2V7002LT1G ON Semiconductor МОП-транзистор NFET 60V 115MA 7.5O
Виробник: ON SEMICONDUCTOR
Код товару: 2V7002LT1G
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: 2V7002LT1G
Id - непрерывный ток утечки
115 mA
Pd - рассеивание мощности
300 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
7.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V to 2.5 V
Вес изделия
1,438 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
80 mS
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
2N7002L
Технология
Si
Тип корпуса
SOT-23-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
40 ns
Типичное время задержки при включении
20 ns
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка
Reel
MOSFET NFET 60V 115MA 7.5O
Про виробника
ON SEMICONDUCTOR
ON Semiconductor - компания-поставщик полупроводников Fortune 1000. Продукты включают в себя: логические, дискретные и пользовательские устройства для автомобильной, коммуникационной, вычислительной, потребительской, промышленной, светодиодной подсве... Детально...