2V7002WT1G ON Semiconductor МОП-транзистор NFET 60V 115MA 7OHM
Виробник: ON SEMICONDUCTOR
Код товару: 2V7002WT1G
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: 2V7002WT1G
Id - непрерывный ток утечки
310 mA
Pd - рассеивание мощности
280 mW
Qg - заряд затвора
0.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.33 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.5 V
Вес изделия
6,200 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
9 ns
Время спада
29 ns
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
530 mS
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
2N7002W
Технология
Si
Тип корпуса
SC-70-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
55.8 ns
Типичное время задержки при включении
12.2 ns
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка
Reel
MOSFET NFET 60V 115MA 7OHM
Про виробника
ON SEMICONDUCTOR
ON Semiconductor - компания-поставщик полупроводников Fortune 1000. Продукты включают в себя: логические, дискретные и пользовательские устройства для автомобильной, коммуникационной, вычислительной, потребительской, промышленной, светодиодной подсве... Детально...