3SK264-5-TG-E ON Semiconductor МОП-транзистор NCH DUAL GATE MOS FET
Виробник: ON SEMICONDUCTOR
Код товару: 3SK264-5-TG-E
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: 3SK264-5-TG-E
Id - непрерывный ток утечки
30 mA
Pd - рассеивание мощности
200 mW
Vds - напряжение пробоя сток-исток
15 V
Vgs - напряжение затвор-исток
8 V
Вес изделия
6,400 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
Dual
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
17 mS
Максимальная рабочая температура
+ 125 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
3SK264
Технология
Si
Тип корпуса
SOT-343-4
Тип транзистора
2 N-Channel
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка
Reel
MOSFET NCH DUAL GATE MOS FET
Про виробника
ON SEMICONDUCTOR
ON Semiconductor - компания-поставщик полупроводников Fortune 1000. Продукты включают в себя: логические, дискретные и пользовательские устройства для автомобильной, коммуникационной, вычислительной, потребительской, промышленной, светодиодной подсве... Детально...