NP100P04PDG-E1-AY Renesas Electronics МОП-транзистор LOW VOLTAGE POWER МОП-транзистор
Виробник: RENESAS ELECTRONICS
Код товару: NP100P04PDG-E1-AY
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: NP100P04PDG-E1-AY
Id - непрерывный ток утечки
- 100 A
Pd - рассеивание мощности
1800 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
3.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
- 40 V
Vgs - напряжение затвор-исток
+/- 20 V
Время нарастания
30 ns
Время спада
100 ns
Высота
4.45 mm
Длина
10 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
800
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
P-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-263-3
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
300 ns
Типичное время задержки при включении
38 ns
Торговая марка
Renesas Electronics
Упаковка
Tube
Ширина
9.15 mm
MOSFET LOW VOLTAGE POWER MOSFET
Про виробника
RENESAS ELECTRONICS
Renesas Electronics Corporation (яп. ルネサス エレクトロニクス株式会社 Runesasu Erekutoronikusu Kabushiki Gaisha) TYO: 6723 — японский производитель полупроводниковых компонентов. Штаб-квартира находится в Токио, компания имеет представительства и производственные м... Детально...